NXP Semiconductors
BAT74S
Dual Schottky barrier diode
BAT74S
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Product data sheet
22 November 2012
5
/
10
006aac891
VR
(V)
0
30
20
10
4
6
2
8
10
Cd
(pF)
0
Tamb
= 25 °C; f = 1 MHz
Fig. 4.
Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
8.
Test information
trr
(1)
+
IF
t
output
signal
tr
tp
t
10
%
90
%
VR
input
signal
V
=
VR
+IF
×RS
RS
=
50
Ω
IF
D.U.T.
Ri
=
50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
(1) IR
= 1 mA
Fig. 5.
Reverse recovery time test circuit and waveforms
8.1
Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is
suitable for use in automotive applications.
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